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AOD407  与  SPD18P06P G  区别

型号 AOD407 SPD18P06P G
唯样编号 A36-AOD407 A-SPD18P06P G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@12A,10V 130mΩ
上升时间 - 5.8ns
漏源极电压Vds -60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 50W 80W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs 20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 4S
典型关闭延迟时间 - 24.5ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id -12A 18.6A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - SPD18P06
长度 - 6.5mm
下降时间 - 11ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 6,003 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.419
100+ :  ¥1.0923
1,250+ :  ¥0.9504
2,500+ :  ¥0.8965
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0923
1,250: ¥0.9504
2,500: ¥0.8965
6,003 当前型号
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,250: ¥1.0725
2,500: ¥1.012
27,450 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

¥2.409 

阶梯数 价格
30: ¥2.409
100: ¥1.848
1,250: ¥1.617
2,500: ¥1.54
17,573 对比
ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 2.11W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 4.4A(Ta)

¥2.1879 

阶梯数 价格
30: ¥2.1879
100: ¥1.683
1,250: ¥1.468
2,500: ¥1.3932
7,336 对比
IRFR5505TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 18A 55V D-Pak

暂无价格 0 对比
SPD18P06P G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 18.6A 130mΩ 10V 80W P-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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